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          VF20150C-E3/4W

          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

          Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc

          文件:168.29 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VF20150C-E3/4W

          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          文件:163.4 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VF20150C-E3/4W

          肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS

          Vishay

          威世

          VF20150C-E3/4W

          Package:TO-220-3 全封裝,隔離接片;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號:

            VF20150C-E3/4W

          • 制造商:

            Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

          • 系列:

            TMBS?

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 二極管配置:

            1 對共陰極

          • 二極管類型:

            肖特基

          • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

            10A

          • 速度:

            快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

          • 工作溫度 - 結(jié):

            -55°C ~ 150°C

          • 安裝類型:

            通孔

          • 封裝/外殼:

            TO-220-3 全封裝,隔離接片

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            ITO-220AB

          • 描述:

            DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220

          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          VISHAY
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          18600
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          更多VF20150C-E3/4W供應(yīng)商 更新時間2026-1-19 13:57:00
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