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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VF20120C-E3	文件：161.84 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：161.84 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120C-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VF20120C-E3/4W	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：167.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120C-E3SLASH4W	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：167.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120C-E3/4W	文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120C-E3SLASH4W	文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VF20120C-E3
功能描述：
肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	VF20120C-E3		22+	TO-220F	20000	只做原裝	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	VF20120C-E3/4W	VISHAY	2016+	TO220-3	9000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	VF20120C-E3/4W	VISHAY	25+	TO-220	63000	普通	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	VF20120C-E3/4W	VISHAY	25+	TO-220	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	VF20120C-E3/4W	Vishay(威世)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	VF20120C-E3/4W	VISHAY	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	VF20120C-E3-4W	VISHAY/威世	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多VF20120C-E3供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 15:01:00

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