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VB3222	文件：714.4 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：714.4 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VB3222	文件：676.63 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：676.63 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VB3222_V01	文件：714.4 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：714.4 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VB3222A	文件：567.48 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The VB3222A uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Features VDS (V) = 20V ID = 6.0A (VGS 文件：567.48 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VB3222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Vbsemi 微碧半導(dǎo)體	Vbsemi

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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	VB3222		24+	N/A	62000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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