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VB3222A	文件：567.48 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The VB3222A uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Features VDS (V) = 20V ID = 6.0A (VGS 文件：567.48 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VB3222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Vbsemi 微碧半導(dǎo)體	Vbsemi
VBA3222	文件：587.27 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：587.27 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VBA3222	文件：561.12 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：561.12 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VBBD3222	文件：713.94 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：713.94 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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更多VB3222A供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00