Trench MOS Schottky technology

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Trench MOS Schottky technology

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

Vishay

威世

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：20A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division