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VB20200C-E3中文資料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier數(shù)據(jù)手冊(cè)Vishay規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
VB20200C-E3 |
| 參數(shù)屬性 | VB20200C-E3 封裝/外殼為T(mén)O-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列；產(chǎn)品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 |
| 功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名稱(chēng) | 威世 威世科技公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-21 11:15:00 |
| 人工找貨 | VB20200C-E3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
VB20200C-E3規(guī)格書(shū)詳情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
應(yīng)用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號(hào)：
VB20200C-E3/8W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
- 系列：
TMBS?
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 二極管配置：
1 對(duì)共陰極
- 二極管類(lèi)型：
肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：
10A
- 速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作溫度 - 結(jié)：
-40°C ~ 150°C
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-263AB（D2PAK）
- 描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
TO263 |
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