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          首頁(yè)>VB20150S-E3>規(guī)格書詳情

          VB20150S-E3中文資料High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A數(shù)據(jù)手冊(cè)Vishay規(guī)格書

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          廠商型號(hào)

          VB20150S-E3

          參數(shù)屬性

          VB20150S-E3 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

          功能描述

          High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

          封裝外殼

          TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

          制造商

          Vishay Vishay Siliconix

          中文名稱

          威世 威世科技公司

          數(shù)據(jù)手冊(cè)

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          更新時(shí)間

          2026-1-20 11:43:00

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          VB20150S-E3規(guī)格書詳情

          特性 Features

          Trench MOS Schottky technology
          Low forward voltage drop, low power losses
          High efficiency operation

          應(yīng)用 Application

          For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

          技術(shù)參數(shù)

          • 產(chǎn)品編號(hào):

            VB20150S-E3/8W

          • 制造商:

            Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

          • 系列:

            TMBS?

          • 包裝:

            管件管件

          • 二極管類型:

            肖特基

          • 電流 - 平均整流 (Io):

            20A

          • 速度:

            快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

          • 安裝類型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            TO-263AB(D2PAK)

          • 工作溫度 - 結(jié):

            -55°C ~ 150°C

          • 描述:

            DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

          供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
          VISHAY
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          12000
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          達(dá)高TECCOR
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