High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 4 A

Very low profile - typical height of 1.1 mm\nTrench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses;

Vishay

威世

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：8A, 150V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：8A, 150V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：8A, 150V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division