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          V40100C
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A
          文件：167.8 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100C
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：140.85 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100C
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：138.83 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100C-E3
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB
package)
? Low thermal resistance
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD
22-B106
          文件：1.12964 Mbytes 頁數：6 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100C-E3_V01
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB
package)
? Low thermal resistance
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD
22-B106
          文件：1.12964 Mbytes 頁數：6 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100CI
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICA
          文件：136.72 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100CI_V01
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICA
          文件：136.72 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100CI-M3SLASHP
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A
          
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106
          文件：136.08 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100C_11
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：140.85 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          V40100C_12
          Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier
          文件：157.14 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          詳細參數
          
            
          
            
            
            	
          • 型號：
            V40100C
          • 制造商：
            VISHAY 
          • 制造商全稱：
            Vishay Siliconix 
          • 功能描述：
            Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 
          
            
          
        
          
            
          供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



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          TO-220
          		

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              • <tfoot id="5lvfi"><menuitem id="5lvfi"></menuitem></tfoot>
                

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                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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