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V40100C-E3	文件：1.12964 Mbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Low thermal resistance ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：1.12964 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3	文件：160.65 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
V40100C-E3_V01	文件：1.12964 Mbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Low thermal resistance ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：1.12964 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3/4W	文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3/4W	文件：157.14 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier 文件：157.14 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3_15	文件：155.39 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：155.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3SLASH4W	文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3SLASH4W	文件：157.14 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier 文件：157.14 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
V40100C-E3
功能描述：
DIODE 40A 100V SCHOTTKY TO220-3
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列
系列：
-
其它有關(guān)文件：
STTH10LCD06C View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
- 電壓 - 在 If
時(shí)為正向(Vf)（最大）：
2V @ 5A 電流 - 在 Vr
時(shí)反向漏電：
1µA @ 600V 電流 -
平均整流(Io)（每個(gè)二極管）：
5A 電壓
-(Vr)（最大）：
600V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：
50ns
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
速度：
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
二極管配置：
1 對(duì)共陰極
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
D2PAK
包裝：
帶卷(TR)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1553(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
497-10107-2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多V40100C-E3供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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