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V20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：167.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V20120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：141.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：141.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：161.84 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：167.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：167.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
V20120C
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全稱：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY原裝 |
24+ |
TO-220 |
30980 |
原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO220 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
11+ |
TO-220 |
337 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
2550 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) |
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