UTV8100B_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極（BJT）-射頻-美高森美

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廠家型號(hào)：
UTV8100B
制造商：
MICROSEMI/美高森美
庫(kù)存數(shù)量：
0
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極（BJT）-射頻
封裝外殼：
55RT
包裝：
散裝
安裝類型：
底座安裝
更新時(shí)間：
2026-1-22 10:31:00

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原廠料號(hào)：UTV8100B品牌：Microsemi Corporation

資料說(shuō)明：RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

UTV8100B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝55RT的UTV8100B晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號(hào)：
UTV8100B
規(guī)格書(shū)：
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企業(yè)簡(jiǎn)稱：
MICROSEMI【美高森美】詳情
廠商全稱：
Microsemi Corporation
中文名稱：
美高森美半導(dǎo)體公司
資料說(shuō)明：
RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
UTV8100B
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
60V
頻率 - 躍遷：
470MHz ~ 860MHz
增益：
8.5dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值：
290W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
15A
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
55RT
供應(yīng)商器件封裝：
55RT
描述：
RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

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