UTV080_分立半導體產品晶體管-雙極（BJT）-射頻-美高森美

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廠家型號：
UTV080
制造商：
MICROSEMI/美高森美
庫存數(shù)量：
0
類別：
分立半導體產品晶體管-雙極（BJT）-射頻
封裝外殼：
55JV
包裝：
散裝
安裝類型：
通道，DIN 導軌安裝
更新時間：
2026-1-21 14:55:00

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原廠料號：UTV080品牌：Microsemi Corporation

資料說明：RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

UTV080是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEMI/美高森美生產封裝55JV的UTV080晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
UTV080
規(guī)格書：
原廠下載下載
企業(yè)簡稱：
MICROSEMI【美高森美】詳情
廠商全稱：
Microsemi Corporation
中文名稱：
美高森美半導體公司
資料說明：
RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

產品屬性

類型
描述
產品編號：
UTV080
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
28V
頻率 - 躍遷：
470MHz ~ 860MHz
增益：
9dB ~ 10dB
功率 - 最大值：
65W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 500mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2.5A
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
通道，DIN 導軌安裝
封裝/外殼：
55JV
供應商器件封裝：
55JV
描述：
RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

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