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TW092V65C | 絲?。?strong>TW092V65C;Package:DFN8x8;MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications ? Switching Voltage Regulators Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 650 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 92 mΩ (typ.) (5) Less susceptible to 文件:829.38 Kbytes 頁數(shù):12 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | |
TW092V65C | 絲?。?strong>TW092V65C;Package:DFN8x8;MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications ? Switching Voltage Regulators Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 650 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 92 mΩ (typ.) (5) Less susceptible to 文件:829.38 Kbytes 頁數(shù):12 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA |
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