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TSF8N65C	文件：985.4 Kbytes Page：6 Pages	7.5A,650V Insulated N-Channel Type Power MOSFETs 文件：985.4 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	THINKISEMI 思祁半導(dǎo)體	THINKISEMI
TSF8N65C	文件：300 bytes Page：1 Pages	7.5A,650V Insulated N-Channel Type Power MOSFETs	ThinkiSemi 思祁半導(dǎo)體	ThinkiSemi
TSP8N65M	文件：1.10908 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10908 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
TSP8N65M	文件：1.59151 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.59151 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
WFF8N65B	文件：711.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel MOSFET GeneralDescription This Power MOSFET is produced using Winsemis advanced planar stripe, VDMOS technology. this latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and 文件：711.98 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	WINSEMI

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更多TSF8N65C供應(yīng)商更新時間2026-1-21 9:56:00