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          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm,  GaAlAs Double Hetero
          
DESCRIPTION
TSFF5510 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs
double hetero (DH) technology with high radiant power and
high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES
? Package type: leaded
? Package form: T-1?
? Dimensions (in mm): ? 5
? Leads with stand-off
?
          文件：95.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
          文件：108.57 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
          文件：106.35 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
          文件：106.84 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode
          文件：98.09 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
          文件：96.44 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510
          High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
           Package type: leaded\n Package form: T-1?\n Dimensions (in mm): ? 5\n\n ;
          Vishay
          威世
          

          TSFF5510
          Package：徑向；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光 描述：EMITTER IR 870NM 100MA RADIAL
          Vishay Semiconductor Opto Division
          Vishay Semiconductor Opto Division
          

          TSFF5510_V02
          High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm,  GaAlAs Double Hetero
          
DESCRIPTION
TSFF5510 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs
double hetero (DH) technology with high radiant power and
high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES
? Package type: leaded
? Package form: T-1?
? Dimensions (in mm): ? 5
? Leads with stand-off
?
          文件：95.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          TSFF5510_08
          High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
          文件：108.57 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
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          產(chǎn)品屬性
          
            
          
            
            
            	
          • 產(chǎn)品編號：
            TSFF5510
          • 制造商：
            Vishay Semiconductor Opto Division
          • 類別：
            光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光
          • 包裝：
            卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
          • 類型：
            紅外（IR）
          • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：
            100mA
          • 不同 If 時最小輻射強度 (Ie)：
            16mW/sr @ 100mA
          • 波長：
            870nm
          • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：
            1.3V
          • 視角：
            76°
          • 方向：
            頂視圖
          • 工作溫度：
            -40°C ~ 85°C（TA）
          • 安裝類型：
            通孔
          • 封裝/外殼：
            徑向
          • 描述：
            EMITTER IR 870NM 100MA RADIAL
          
            
          
        
          
            
          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



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          TSFF5510
          		

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                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  

                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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