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序號(hào)	型號(hào)	極限工作電壓	最大電流允許值	最大耗散功率	放大倍數(shù)	最大工作頻率	制作材料
1	2SD1991	30V	0.1A	0.4W		150MHZ	Si-NPN
2	2SD1991A	60V	0.1A	0.4W		150MHZ	Si-NPN
3	2SD1992	600V	30A	400W	β>150	<1MHZ或未知	Si-NPN
4	2SD1992A	300V	40A	400W	β>150	<1MHZ或未知	Si-NPN
5	2SD1993	55V	0.1A	0.4W		<1MHZ或未知	Si-NPN
6	2SD1994(A)	60V	1A	1W		200MHZ	Si-NPN
7	2SD1995	50V	0.05A			200MHZ	Si-NPN
8	2SD1996	25V	0.5A	0.6W		200MHZ	Si-NPN
9	2SD1997	40V	3A			<1MHZ或未知	Si-N+R+Di
10	2SD1998	40V	3A			<1MHZ或未知	Si-N+R+Di
11	2SD1999	30V	4A			<1MHZ或未知	Si-N+R+Di
12	2SD20	25V	0.3A	0.15W	β=50	<1MHZ或未知	Ge-NPN
13	2SD200(A)	1.5KV	2.5A	25W		<1MHZ或未知	Si-NPN
14	2SD2000	80V	4A	35W		80MHZ	Si-NPN
15	2SD2001	1500V	1.5A	40W		<1MHZ或未知	Si-N+Di
16	2SD2002	1500V	5A	50W		<1MHZ或未知	Si-NPN
17	2SD2004	160V	1.5A	1.2W		80MHZ	Si-NPN
18	2SD2005	40V	1A	1.2W		150MHZ	Si-NPN
19	2SD2006	80V	0.7A	1.2W		120MHZ	Si-NPN
20	2SD2007	40V	2A	1.2W		100MHZ	Si-NPN
21	2SD2008	120V	1A	1.2W		100MHZ	Si-NPN
22	2SD2009	60V	1A	1.2W	β>2000	<1MHZ或未知	Si-N+Darl
23	2SD201	90V	6A	50W		<1MHZ或未知	Si-NPN
24	2SD2010	60V	2A	1.2W	β>1000	<1MHZ或未知	Si-N+Darl+Di
25	2SD2011	100V	2A	15W	β=1000-10000	<1MHZ或未知	Si-N+Darl+Di
26	2SD2012	60V	3A	25W	β=100-320	3MHZ	Si-NPN
27	2SD2014	120V	4A	25W	β=2000	75MHZ	Si-N+Darl+Di
28	2SD2015	150V	4A	25W	β=2000	40MHZ	Si-N+Darl+Di
29	2SD2016	200V	3A	25W	β>1000	90MHZ	Si-N+Darl+Di
30	2SD2017	300V	6A	35W	β=2000	20MHZ	Si-N+Darl+Di