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TPCP8302	文件：233.59 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Small footprint due to small and thin package ? Low drain-source ON-resistance: RDS(ON) = 25 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 14 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max 文件：233.59 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCP8302	文件：272.86 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? 文件：272.86 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCP8302	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch dual) Polarity：P-ch×2\nGeneration：U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current (Q1) ID -5 A \nDrain current (Q2) ID -5 A \nPower Dissipation PD 1.48 W \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
TPCP8302_08	文件：272.86 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? 文件：272.86 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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