Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

東芝

Cell Phones Motor Drivers

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TOSHIBA

東芝

Power MOSFET (N-ch + P-ch complementary

Application Scope：Cellular phones / Motor drivers\nPolarity：N-ch + P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ-H/U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 馬來西亞 Drain current (Q1) ID 6.5 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V \nDrain current (Q2) ID -6 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -30 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V \nPower Dissipation PD 1.48 W ;

Toshiba

東芝

Single P-Channel 1.8V Specified MicroSURF?

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TSC

臺灣半導(dǎo)體

Single P-Channel 1.8V Specified MicroSURF MOSFET

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TSC

臺灣半導(dǎo)體

Rectifier Diode

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IXYS

艾賽斯