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TPCF8102	文件：224.05 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/f3b/marking.html">F3B；Package：2-3U1A；Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 24 m? (typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 14 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) ? Enhancement mode: Vth = ?0.5 to ?1.2 V 文件：224.05 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：212.29 Kbytes Page：7 Pages	絲印：F3B；Package：2-3U1A；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) 文件：212.29 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch single) Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current ID -6 A \nPower Dissipation PD 2.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
TPCF8102_07	文件：212.29 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) 文件：212.29 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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