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TPC8301	文件：433.49 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS Type (L2-MOSVI) 文件：433.49 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPC8301	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS Type (L2-MOSVI)	Toshiba 東芝	Toshiba
TPCF8301	文件：196.1 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) 文件：196.1 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCF8301	文件：75.38 Kbytes Page：5 Pages	FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U竊?OS?? Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 72 m? (typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 4.7 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) ? Enhancement model: Vth = ?0.5 to ?1.2 V 文件：75.38 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCF8301	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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更多TPC8301供應(yīng)商更新時間2026-1-19 13:34:00