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TP65H035WSQA	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V 35mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in?TO-247 The?TP65H035WSQA?650V 35mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorm’s Gen III platform. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.\n\nThe device is also?automotive qual	Transphorm	Transphorm
TP65H035WSQA	文件：1.77892 Mbytes Page：12 Pages	AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247 (source tab) 文件：1.77892 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages	TRANSPHORM	TRANSPHORM
TP65H035WS	文件：1.64203 Mbytes Page：12 Pages	650V Cascode GaN FET in TO-247 文件：1.64203 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages	TRANSPHORM	TRANSPHORM
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