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|---|---|---|---|---|
T O-251-3L/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Regulators 文件：616.88 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | ||
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Package, Reel, Taping 文件：520.799 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | ELM-TECH 榆木科技 | ELM-TECH | ||
Package, Reel, Taping 文件：520.909 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | ELM-TECH 榆木科技 | ELM-TECH | ||
Sample Instructions for Choosing a Packing Option 文件：306.92 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
WinMOS? W3 系列MOSFET 希格瑪WinMOS? W3 系列MOSFET，為希格瑪?shù)诙Y(jié)高壓MOSFET，采用希格瑪最新的第二代超結(jié)工藝技術(shù)平臺設(shè)計而成，此工藝技術(shù)基于之前的Multi-epi基礎(chǔ)，采用深挖溝填充制程。通過利用這種先進(jìn)的工藝技術(shù)和嚴(yán)格精準(zhǔn)的制程控制，在保有原所有優(yōu)點的同時，獲得更低的Rdson、更低的Qg、更低的輸入輸出電容及寄生參數(shù)，可以將MOSFET的導(dǎo)通損耗和切換損耗降至更低，達(dá)到了世界級先進(jìn)水平，使應(yīng)用產(chǎn)品獲得更高的效率、更小的體積、更輕的重量、更好的溫度特性，從而提高應(yīng)用產(chǎn)品的競爭力。 a)低導(dǎo)通電阻Rdson，降低開關(guān)損耗；\r\nb)低柵極電荷Qg，降低切換損耗；\r\nc)低有效輸出電容，降低切換損耗；\r\nd)產(chǎn)品100% 制程測試；\r\ne)大于1000小時可靠性測試；\r\nf)100% 無鹵工藝制程；; | SiGma 星宸科技 | SiGma |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
TO-252
- 功能描述：
3.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
25+ |
SOT-89 |
10000 |
QQ詢價 絕對原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO252 |
6000 |
終端可免費供樣,支持BOM配單 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO252 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封□□ |
42500 |
原裝進(jìn)口特價供應(yīng)特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品更多詳細(xì)咨詢庫存 |
詢價 | ||
Bivar |
22+ |
NA |
80 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 | ||
VISHAY |
TO-263 |
50000 |
詢價 | ||||
24+ |
N/A |
73000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
Microchip |
1940+ |
N/A |
808 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
Microchip |
16 |
只做正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 |
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