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    TO-252-2L

    T O-251-3L/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Regulators

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    DGNJDZ

    南晶電子

    TO-252-2L

    Plastic-Encapsulate MOSFETS

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    ZPSEMIZP Semiconductor

    至尚臻品

    TO-252-2L

    Plastic-Encapsulate MOSFETS

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    ZPSEMIZP Semiconductor

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    Plastic-Encapsulate MOSFETS

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    ZPSEMIZP Semiconductor

    至尚臻品

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    Plastic-Encapsulate MOSFETS

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    ZPSEMIZP Semiconductor

    至尚臻品

    TO-252-2L

    White LED Driver

    Alfa-MOS

    閘能

    Alfa-MOS

    TO-252-2L(DPAK)

    WinMOS? W3 系列MOSFET

    希格瑪WinMOS? W3 系列MOSFET,為希格瑪?shù)诙Y高壓MOSFET,采用希格瑪最新的第二代超結工藝技術平臺設計而成,此工藝技術基于之前的Multi-epi基礎,采用深挖溝填充制程。通過利用這種先進的工藝技術和嚴格精準的制程控制,在保有原所有優(yōu)點的同時,獲得更低的Rdson、更低的Qg、更低的輸入輸出電容及寄生參數(shù),可以將MOSFET的導通損耗和切換損耗降至更低,達到了世界級先進水平,使應用產(chǎn)品獲得更高的效率、更小的體積、更輕的重量、更好的溫度特性,從而提高應用產(chǎn)品的競爭力。 a)低導通電阻Rdson,降低開關損耗;\r\nb)低柵極電荷Qg,降低切換損耗;\r\nc)低有效輸出電容,降低切換損耗;\r\nd)產(chǎn)品100% 制程測試;\r\ne)大于1000小時可靠性測試;\r\nf)100% 無鹵工藝制程;;

    SiGma

    星宸科技

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    更多TO-252-2L供應商 更新時間2026-1-22 17:14:00

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