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TK099V65Z	文件：474.03 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?strong>TK099V65Z；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ? Switching Power Supplies Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.08 Ω (typ.) (2) High-speed switching properties with the lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 1.27 mA) 文件：474.03 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK099V65Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V Application Scope：Switching Voltage Regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅥ\nInternal Connection：Single\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Please contact us. Drain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \nDrain current ID 30 A \nPower Dissipation PD 230 W ;	Toshiba 東芝	Toshiba
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亞泰電子科技有限公司	TK099V65Z,LQ(S	TOSHIBA	22+	SMD	2500		詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	TK099V65Z,LQ	TOSHIBA			5		詢價(jià)
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更多TK099V65Z供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 8:01:00