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SVF5N60F	文件：489.01 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?strong>SVF5N60F；Package：TO-220F-3L；5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize 文件：489.01 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	SILAN 士蘭微	SILAN
SVF5N60F	文件：489.01 Kbytes Page：10 Pages	絲印：SVF5N60F；Package：TO-220F-3L；5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize 文件：489.01 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	SILAN 士蘭微	SILAN
SVF5N60F	文件：1.06956 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.06956 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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更多SVF5N60F供應(yīng)商更新時間2026-1-21 17:33:00