High forward surge capability

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意法半導(dǎo)體

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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650 V power Schottky silicon carbide diode

碳化硅（SiC）二極管是一款超高性能的功率肖特基二極管，是使用碳化硅基板制造的。寬帶隙材料可用于設(shè)計650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系，關(guān)斷時不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n 這款雙管配置的二極管特別適用于交錯或無橋拓?fù)洌稍谟查_關(guān)條件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌電流能力可確保在瞬態(tài)期間提供良好的耐受性。 ? 無反向恢復(fù)，或反向恢復(fù)可忽略\n? 開關(guān)行為受溫度影響小? 高耐正向浪涌電流能力;

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8 A 650 V SiC功率肖特基二極管

這款8 A,650 V碳化硅二極管是具有超高性能的功率肖特基二極管并使用碳化硅基板制造。寬帶隙材料可用于設(shè)計650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系，關(guān)斷時不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n\n ? STPSC8H065DLF采用薄型PowerFLAT?8x8 HV封裝，既可提供低正向?qū)▔航祹淼母吣苄焚|(zhì)，也可滿足空間環(huán)境(如電信和網(wǎng)絡(luò)，工業(yè)或可再生能源領(lǐng)域)對器件的高浪涌能力要求。 ? ? 高度小于1毫米的封裝 \n? ? 高爬電距離封裝 \n? 無反向恢復(fù)，或反向恢復(fù)可忽略 \n? ? 沒有或可忽略不計的反向恢復(fù) \n? 高耐正向浪涌電流能力 \n? ? 低正向?qū)▔航?\n? ? 高能效功率產(chǎn)品 \n? 元件符合ECOPACK?2 標(biāo)準(zhǔn);

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Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：AUTOMOTIVE 650 V POWER SCHOTTKY

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Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220

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Package：TO-220-2；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC

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