8 A 650 V SiC功率肖特基二極管

這款8 A,650 V碳化硅二極管是具有超高性能的功率肖特基二極管并使用碳化硅基板制造。寬帶隙材料可用于設計650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結構的關系，關斷時不存在反向恢復現(xiàn)象，且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關斷行為受溫度影響小。\n\n ? STPSC8H065DLF采用薄型PowerFLAT?8x8 HV封裝，既可提供低正向導通壓降帶來的高能效品質，也可滿足空間環(huán)境(如電信和網絡，工業(yè)或可再生能源領域)對器件的高浪涌能力要求。 ? ? 高度小于1毫米的封裝 \n? ? 高爬電距離封裝 \n? 無反向恢復，或反向恢復可忽略 \n? ? 沒有或可忽略不計的反向恢復 \n? 高耐正向浪涌電流能力 \n? ? 低正向導通壓降 \n? ? 高能效功率產品 \n? 元件符合ECOPACK?2 標準;

ST

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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Package：8-PowerVDFN；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述：SILICON CARBIDE DIODES

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650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode

Features ? No reverse recovery charge in application current range ? Switching behavior independent of temperature ? High forward surge capability ? Insulated package TO-220AC Ins: – Insulated voltage: 2500 VRMS – Typical package capacitance: 7 pF ? Power efficient product ? ECOPACK?2 comp

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Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode

Features ? AEC-Q101 qualified ? No reverse recovery charge in application current range ? Switching behavior independent of temperature ? Recommended to PFC applications ? PPAP capable ? VRRM guaranteed from -40 to 175 °C ? D2PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. (with

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