Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Features ? AEC-Q101 qualified ? Industry’s lowest RDS(on) x area ? Industry’s best FoM (figure of merit) ? Ultra-low gate charge ? 100 avalanche tested ? Zener-protected Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovati

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STMICROELECTRONICS

意法半導體

汽車級N溝道950 V、4.3 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封裝

這款超高壓N-溝道功率MOSFET采用MDmesh? K5技術進行設計。該技術以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎。因此，在要求高功率密度和高效率的應用中，導通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。 ? 通過AEC-Q101認證 \n? 業(yè)界領先的低RDS(on) x 面積 \n? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過100％雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護;

ST

意法半導體

950V N-Channel MOSFET

Application ? Adaptor ? Charger ? Power management o SMPS Standby Power

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TECHPUBLIC

臺舟電子

TO-252

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上傳：深圳市旺財半導體有限公司

TO-252

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上傳：深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司