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STD1NA60	文件：171.39 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 7.2 ? ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”) ■ SURFACE-MOUNTING D 文件：171.39 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD1NA60	文件：1.08807 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08807 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
STD1NA60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STD1NA60T4	文件：1.08807 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08807 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
STD1NA60-TR	文件：1.08809 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08809 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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更多STD1NA60供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:01:00