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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STD13N60M2	文件：1.10829 Mbytes Page：23 Pages	Extremely low gate charge Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh? M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficien 文件：1.10829 Mbytes 頁(yè)數(shù)：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD13N60M2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N溝道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封裝 These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh? M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters. ? Extremely low gate charge \n? Excellent output capacitance (COSS) profile \n? 100% avalanche tested \n? Zener-protected;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STF13N60M2	文件：1.13696 Mbytes Page：14 Pages	Low gate input resistance Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They 文件：1.13696 Mbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STFH13N60M2	文件：674.18 Kbytes Page：12 Pages	Extremely low gate charge 文件：674.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STFI13N60M2	文件：1.13696 Mbytes Page：14 Pages	Low gate input resistance Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They 文件：1.13696 Mbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

技術(shù)參數(shù)

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
600
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.38
Drain Current (Dc)_max(A)：
11
PTOT_max(W)：
110
Qg_typ(nC)：
17

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	STD13N60M2	ST	24+/25+	TO-252	50000	100%原裝正品真實(shí)庫(kù)存,支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市利芯偉業(yè)科技有限公司	STD13N60M2	ST(意法半導(dǎo)體)	24+	DPAK	16906	支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!	詢價(jià)
深圳市鑫煒納電子有限公司	STD13N60M2	ST/意法半導(dǎo)體	2021+	原廠原封裝	93628	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一罰百	詢價(jià)
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更多STD13N60M2供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-17 14:30:00

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