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STBV38100E2	文件：1.29031 Mbytes Page：7 Pages	Gallium Nitride 50V, 100W, 0.1-4.2GHz RF Power Transistor Description The STBV38100E2 is a 100watt, GaN HEMT, ideal for general applications from 0.1 to 4.2GHz. It can support CW, pulse or any modulated signal. It features high gain, wide band and low cost, in 6.5*6.5mm ceramic package with copper flange. Its gullwing leads enable surface mounted on 文件：1.29031 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	INNOGRATION 遠(yuǎn)創(chuàng)達	INNOGRATION
STC10F04XE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上傳：深圳市宏捷佳電子科技有限公司	STC
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更多STBV38100E2供應(yīng)商更新時間2026-1-20 11:11:00