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首頁 >STBV42>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STBV42	文件：133.7 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The STBV42G and STBV4 文件：133.7 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STBV42	文件：837.69 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 文件：837.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
STBV42130C9	文件：1.94161 Mbytes Page：7 Pages	GaN HEMT 50V, 130W,3.7-4.2GHz Full band RF Power Transistor Description The STBV42130C9 is a dual path 130watt,Internally matched GaN HEMT, ideal for applications from 3.7 to 4.2GHz full band operation especially for LTE/5G. There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications ? Asymmetrical Doherty 文件：1.94161 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	INNOGRATION 遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)	INNOGRATION
STBV42D	文件：121.24 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bv42d/marking.html">BV42D；Package：TO-92；High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ High volt 文件：121.24 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STBV42D	文件：848.89 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package 文件：848.89 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
STBV42	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR ? High voltage capability\n? Very high switching speed? Low spread of dynamic parameters;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STBV42	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 1A TO92-3	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STBV42081C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaN Transistors	Innogration 遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)	Innogration
STBV42D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 1A TO92-3	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STBV42G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 1A TO92-3	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
STBV42
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 250mA，750mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 400mA，5V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 400V 1A TO92-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	STBV42	ST	2450+	TO-92	6885	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	STBV42	STMicroelectronics	25+	N/A	21000	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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深圳市弘為電子有限公司	STBV42	STMICROELEC	24+	原封裝	7500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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更多STBV42供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 13:36:00

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