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STB2N62K3 | N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These SuperMESH3? Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rende 文件：1.26101 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
STB2N62K3 | N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET | ST 意法半導(dǎo)體 | ST | |
N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These SuperMESH3? Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rende 文件：1.26101 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
Power MOSFET 文件：1.07827 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
STB2N62K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 2.2A MOS 3Ohm SuperMESH 3
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
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