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08N50E	文件：451.57 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：451.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
CMT08N50	文件：217.54 Kbytes Page：7 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy effic 文件：217.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	CHAMP 虹冠電子	CHAMP
CMT08N50	文件：226.35 Kbytes Page：7 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：226.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商	ETC

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更多SDF08N50供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 11:11:00