N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR]

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2-WAY POWER DIVIDER SURFACE MOUNT MODEL

FEATURES: ? Excellent Performance ? Wide Bandwidth ? Small Size, Surface Mount ? Moderate Power ? Lead Free RoHS Compliant APPLICATIONS: ?Signal Splitting & Low Power Combining

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SYNERGY

N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR]

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N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR]

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] FEATURES ■ Ultra-Low Channel OFF leakage,

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] FEATURES ■ Ultra-Low Channel OFF leakage,

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] FEATURES ■ Ultra-Low Channel OFF leakage,

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高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘-EPROM 型

SD2200L 系列是一種具有內(nèi)置晶振、支持 I2C 總線的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片。該芯片可保證時(shí)鐘精度為±5ppm(在 25±1℃下)，即年誤差小于 2.5 分鐘；該芯片內(nèi)置時(shí)鐘精度調(diào)整功能，可以在很寬的范圍內(nèi)校正時(shí)鐘的偏差(分辨力 3.052ppm 或1.017ppm)，通過外置的溫度傳感器可設(shè)定適應(yīng)溫度變化的調(diào)整值，實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能；內(nèi)置串行 E2PROM為非易失性，可在 3.0V～5.5V 下工作,擦寫次數(shù)可達(dá) 100 萬次,數(shù)據(jù)保存時(shí)間為十年。內(nèi)置一次性電池，電池使用壽命可在五年左右(工業(yè)級(jí)和民用級(jí)時(shí)間不同)。該芯片可滿足對實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片的各種需要，是在選用高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘時(shí) ? 低功耗：典型值 0.25μA（VDD=3.0V,Ta=25℃，時(shí)鐘電路部分）。\r\n? 年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的 BCD 碼輸入/輸出。\r\n? 可設(shè)定兩路鬧鐘（定時(shí)）及 32768Hz～1Hz 的方波信號(hào)輸出。\r\n? 內(nèi)置串行 E2PROM 為非易失性，可在 3.0V～5.5V 下工作,擦寫次數(shù)可達(dá) 100 萬次,數(shù)據(jù)保存時(shí)間為十年。\r\n? 內(nèi)置電源掉電檢測電路,具有上電和掉電標(biāo)志位。\r\n? 內(nèi)置電源管理電路，當(dāng) VDD≥3.0V 時(shí)，內(nèi)部電池不耗電。\r\n? 內(nèi)置電池使用壽命—一次性民用級(jí):3~5 年, 一次性工業(yè)級(jí)和充電型:5~8 年。\r\n? SD2200;

WAVE

興威帆

20 V, 75 om, N-channel depletion-mode D-MOS FET

Topaz

DC-DC轉(zhuǎn)換器(降壓)

SAIDE

賽得微