N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

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2-WAY POWER DIVIDER SURFACE MOUNT MODEL

FEATURES: ? Excellent Performance ? Wide Bandwidth ? Small Size, Surface Mount ? Moderate Power ? Lead Free RoHS Compliant APPLICATIONS: ?Signal Splitting & Low Power Combining

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SYNERGY

Power Dividers/Combiners

SYNERGY

N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

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N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

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高精度實時時鐘-EPROM 型

SD2200L 系列是一種具有內置晶振、支持 I2C 總線的高精度實時時鐘芯片。該芯片可保證時鐘精度為±5ppm(在 25±1℃下)，即年誤差小于 2.5 分鐘；該芯片內置時鐘精度調整功能，可以在很寬的范圍內校正時鐘的偏差(分辨力 3.052ppm 或1.017ppm)，通過外置的溫度傳感器可設定適應溫度變化的調整值，實現在寬溫范圍內高精度的計時功能；內置串行 E2PROM為非易失性，可在 3.0V～5.5V 下工作,擦寫次數可達 100 萬次,數據保存時間為十年。內置一次性電池，電池使用壽命可在五年左右(工業(yè)級和民用級時間不同)。該芯片可滿足對實時時鐘芯片的各種需要，是在選用高精度實時時鐘時 ? 低功耗：典型值 0.25μA（VDD=3.0V,Ta=25℃，時鐘電路部分）。\r\n? 年、月、日、星期、時、分、秒的 BCD 碼輸入/輸出。\r\n? 可設定兩路鬧鐘（定時）及 32768Hz～1Hz 的方波信號輸出。\r\n? 內置串行 E2PROM 為非易失性，可在 3.0V～5.5V 下工作,擦寫次數可達 100 萬次,數據保存時間為十年。\r\n? 內置電源掉電檢測電路,具有上電和掉電標志位。\r\n? 內置電源管理電路，當 VDD≥3.0V 時，內部電池不耗電。\r\n? 內置電池使用壽命—一次性民用級:3~5 年, 一次性工業(yè)級和充電型:5~8 年。\r\n? SD2200;

WAVE

興威帆

20 V, 75 om, N-channel depletion-mode D-MOS FET

Topaz