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PTF10120	文件：420.28 Kbytes Page：6 Pages	120 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor Description The PTF 10120 is an internally matched common source N-channel enhancement-mode lateral MOSFET intended for CDMA and TDMA applications from 1.8 to 2.0 GHz. It is rated at 120 watts power output. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime a 文件：420.28 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ERICSSON 愛立信	ERICSSON
PTF10120	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 Watts, 1.8?.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor	Ericsson 愛立信	Ericsson
PTR10120CT	文件：773.84 Kbytes Page：7 Pages	10A 120V HPTR Schottky Rectifier 文件：773.84 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PFC 節(jié)能元件	PFC
PTR10120CTB	文件：773.84 Kbytes Page：7 Pages	10A 120V HPTR Schottky Rectifier 文件：773.84 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PFC 節(jié)能元件	PFC
PTR10120CTF	文件：773.84 Kbytes Page：7 Pages	10A 120V HPTR Schottky Rectifier 文件：773.84 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PFC 節(jié)能元件	PFC

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更多PTF10120供應商更新時間2026-1-21 16:03:00