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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PMV48XP	文件：755.47 Kbytes Page：15 Pages	絲印：KN；Package：SOT23；20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching 1.3 App 文件：755.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XP	文件：153.91 Kbytes Page：15 Pages	20 v, 3.5A P-channel Trench MOSFET 文件：153.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV48XP	文件：381.09 Kbytes Page：4 Pages	20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET 文件：381.09 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV48XP	文件：1.03529 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.03529 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PMV48XPA	文件：1.94325 Mbytes Page：5 Pages	絲印：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. The PMV48XPA uses advanced trench technology General Features VDS = -20V ID =-2.3A RDS(ON) 文件：1.94325 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH
PMV48XPA2	文件：287.87 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hg/marking.html">HG；Package：SOT23；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFET 文件：287.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2_V01	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2R	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA	文件：715.26 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dz/marking.html">DZ；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：715.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

12 >>>

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
55
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
81
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-3.5
QGD [typ] (nC)：
1.8000001
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.5
Ptot [max] (W)：
0.51
VGSth [typ] (V)：
-1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
999.99994
Coss [typ] (pF)：
130
Release date：
2011-01-24

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多PMV48XP供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 14:23:00

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