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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB50N06LT	文件：80.78 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHP50N06LT is sup 文件：80.78 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHB50N06LT	文件：55.73 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHP50N06LT is sup 文件：55.73 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
PHB50N06LT	文件：343.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：343.84 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB50N06T	文件：69.19 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：69.19 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
PHB50N06T	文件：343.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：343.84 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHD50N06LT	文件：80.78 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHP50N06LT is sup 文件：80.78 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	PHB50N06LT	PHI	24+	SMD	3000	公司存貨	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	PHB50N06LT	恩XP	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	PHB50N06LT	PHI	25+	TO-263	20000	普通	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	PHB50N06LT	PHI	23+	SOT263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	PHB50N06LT	恩XP	2022+	SOT263	12888	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	PHB50N06LT	PHI	23+	TO-263	125800	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	PHB50N06LT	PHI	22+	SOT263	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
上海凌岳電子科技有限公司（上海涵恩科技）	PHB50N06LT		2023+	SMD	4864	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安羅世紀(jì)電子有限公司	PHB50N06LT	PHI	2023+	SMD	3365	安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	PHB50N06LT	PHI	20+	TO-263	32500	現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝	詢價(jià)

更多PHB50N06LT供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:21:00

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