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          PD57006STR-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導(dǎo)體

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          原廠料號(hào):PD57006STR-E品牌:STMicroelectronics

          資料說明:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

          PD57006STR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)的PD57006STR-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

          • 芯片型號(hào):

            PD57006STR-E

          • 規(guī)格書:

            原廠下載 下載

          • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

            STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

          • 廠商全稱:

            STMicroelectronics

          • 中文名稱:

            意法半導(dǎo)體集團(tuán)

          • 資料說明:

            TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

          產(chǎn)品屬性

          • 類型

            描述

          • 產(chǎn)品編號(hào):

            PD57006STR-E

          • 制造商:

            STMicroelectronics

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

          • 包裝:

            托盤

          • 晶體管類型:

            LDMOS

          • 頻率:

            945MHz

          • 增益:

            15dB

          • 額定電流(安培):

            1A

          • 功率 - 輸出:

            6W

          • 封裝/外殼:

            PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            PowerSO-10RF(直引線)

          • 描述:

            TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

          供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
          STMicroelectronics
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          STMicroelectronics
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          STMicroelectronics
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