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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PD55025-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	25W 12.5V 500MHz LDMOS，powerSO-10RF塑料封裝 The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity a ? Excellent thermal stability \n? Common source configuration \n? POUT = 25 W with 14.5dB gain @ 500 MHz / 12.5 V \n? New RF plastic package;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
PD55025S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD55025STR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多PD55025供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 14:04:00