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|---|---|---|---|---|
NTE129P | Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp Description: The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. Features: ? High VCE Ratings ? Exceptional Power Dissipation Capability 文件：22.21 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NTE | NTE | |
NTE129P | Complementary Transistors Description:\nThe NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use in general purpose power amplifier and switching applications.Features:\n? High VCE Ratings\n? Exceptional Power Dissipation Capability | NTE | NTE | |
Ultra-Low Bias Current Difet OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：640.1 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | BURR-BROWN | BURR-BROWN | ||
Ultra-Low Bias Current Difet PERATIONAL AMPLIFIER 文件：643.04 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：661.91 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
NTE129P
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
TRANSISTOR PNP SILICON 100V IC= 1A TO-237 GENERAL PURPOSE AMP
- 功能描述：
Bulk
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor
- Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo：
80V; Transition Frequency Typ
- ft：
50MHz; Power Dissipation
- Pd：
850mW; DC Collector
- Current：
-1A; DC Current Gain
- hFE：
300; No. of
- Pins：
3
- 功能描述：
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-237
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
新 |
40 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | ||||
2022+ |
36 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | ||||
NTE |
23+ |
39168 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
NTE |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
62000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
NTE |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價(jià) |
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