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首頁 >NP9>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NP9	文件：15.17 Kbytes Page：2 Pages	Packing List Envelopes 文件：15.17 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	3M	3M
NP90N03VHG	文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VHG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ? Low on-state resistance ? RDS(on) = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ? Low input capacitance ? Ciss = 5000 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) ? Designed for 文件：227.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP90N03VHG	文件：299.16 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
NP90N03VHG	文件：1.00246 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC 文件：1.00246 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NP90N03VHG-E1-AY	文件：1.00251 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC 文件：1.00251 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NP90N03VHG-E1-AY	文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VHG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ? Low on-state resistance ? RDS(on) = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ? Low input capacitance ? Ciss = 5000 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) ? Designed for 文件：227.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP90N03VHG-E2-AY	文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VHG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ? Low on-state resistance ? RDS(on) = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ? Low input capacitance ? Ciss = 5000 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) ? Designed for 文件：227.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP90N03VHG-E2-AY	文件：1.00251 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC 文件：1.00251 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NP90N03VLG	文件：299.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.82 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
NP90N03VLG	文件：1.00244 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC 文件：1.00244 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

技術(shù)參數(shù)

封裝形式：
DFN5*6
Vds(V)：
30
ID(A)25°C：
90
VGS(±V)：
20
Rdson@10V Typ(mΩ)：
2.5
[email protected] Tpy(mΩ)：
4.2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市益百分電子有限公司	NP90N04VUG(1)-E1-AY	RENESAS	13+	SOT252	2500		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NP972382	AVD	24+		412		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	NP90N04VUG-E1	NEC	24+	TO-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	NP975026REV03-G	AavidThermalloy	新		5	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	NP90N04V	RENESAS	23+	SOT252	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	NP975035	AAVIDTHERMALLOY	23+	NA	318	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	NP90N03VHG-E1-AY	RENESAS	25+23+	TO252	33387	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	NP90N03VLG	Renesas	18+	TO-252	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	NP90N03VLG-E2-AY	RENESAS	20+	TO-252	63258	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	NP90N03	LN	24+	DFN56	74114	原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)

更多NP9供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 15:36:00

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