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首頁 >NDS356>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NDS356	文件：78.74 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SuperSOTTM-3 P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particular 文件：78.74 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
NDS356	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NDS356AP	文件：78.74 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SuperSOTTM-3 P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particular 文件：78.74 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
NDS356P	文件：78.02 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suit 文件：78.02 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
NDS356P	文件：465.16 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Load Switch ? PA Switch ? DC/DC Converters 文件：465.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NDS356AP-NL	文件：1.04768 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.04768 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NDS356AP	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P 溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 SuperSOT?-3 P溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)而成。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。這些器件特別適合筆記本電腦電源管理、便攜電子產(chǎn)品及其他電池供電電路等低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中實(shí)現(xiàn)快速高側(cè)開關(guān)和低線內(nèi)功率損耗。 ? -1.1 A, -30 VrDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -4.5 VrDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = -10 V\n? Industry Standard Outline SOT-23 Surface Mount Package Using Proprietary SuperSOT?-3 Design for Superior Thermal and Electrical Capabilities.\n? High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)\n? Exceptional On-Resistan;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NDS356P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-1.1
PD Max (W)：
0.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
200
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.4
Ciss Typ (pF)：
280
Package Type：
SOT-23-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NDS356	FAIRCHILD/FSC/仙童飛兆半	24+	SOT-23	6700	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	NDS356	F	25+		860	普通	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	NDS356	FAIRCHILD	1923+	SOT-23	35689	絕對(duì)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨庫存特價(jià)銷售	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	NDS356	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-23	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	NDS356AP	FAIRCHILD	25+	DIP-40	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	NDS356AP	FAI	17+	SOT-23	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	NDS356AP	FAIRCHILD	24+	原封裝	3909	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	NDS356AP	FAIRCHI	25+	SOT23-3	1	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	NDS356AP	FAIRCHILD	2016+	SOT23-3	6000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	NDS356AP	FAIRCHILD	24+	SOT23	5825	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!	詢價(jià)

更多NDS356供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 15:30:00

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