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首頁 >NDC7002>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NDC7002	文件：258.25 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fas 文件：258.25 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
NDC7002	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NDC7002N	文件：301.19 Kbytes Page：7 Pages	SOT23-6 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features 0.51A, 50V, RDS(ON) = 2W @ VGS=10V High density cell design for low RDS(ON). Proprietary SOT23-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High saturation current. 文件：301.19 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
NDC7002N	文件：258.25 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fas 文件：258.25 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
NDC7002N	文件：308.47 Kbytes Page：7 Pages	SOT23-6 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance a 文件：308.47 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
NDC7002N	文件：1.66584 Mbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/02nf/marking.html">02Nf；Package：SOT23-6；50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.66584 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子	TECHPUBLIC
NDC7002N	文件：335.81 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor - Dual, N-Channel, Enhancement Mode 文件：335.81 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NDC7002N	文件：300 bytes Page：1 Pages	雙 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，50V，0.51A，2Ω 這些雙N溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這一密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻，提供穩(wěn)固和可靠的性能以及快速開關(guān)而定制的。這些器件特別適合需要低電流高邊開關(guān)的低電壓應(yīng)用。 ?0.51 A，50 V。RDS(ON) = 2 Ω @ VGS = 10 V。\n?采用高密度單元設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?專有SuperSOTTM-6封裝設(shè)計(jì)采用銅引腳架構(gòu)，以獲得出色的熱性能和電氣性能。\n?高飽和電流。;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NDC7002L	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS	XW 芯微半導(dǎo)體	XW

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
50
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.51
PD Max (W)：
0.96
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
TSOT-23-6

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市凱睿晟科技有限公司	NDC7002	Bychip/百域芯	21+	SOT163	30000	優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 品質(zhì)保障可開13點(diǎn)發(fā)票	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NDC7002	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT23-6	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NDC7002	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT23-6	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	NDC7002	ON	19+	SOT23	6000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	NDC7002	ON	23+	SOT23	6000	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳深宇韜電子科技有限公司	NDC7002	ON	2023+	SOT23	8800	正品渠道現(xiàn)貨終端可提供BOM表配單。	詢價(jià)
深圳市科達(dá)星科技有限公司	NDC7002	VISHAY	24+	SOT163	96000	原裝公司大量現(xiàn)貨,歡迎來電	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	NDC7002	FAIRCHILD/仙童	24+	SOT23-6	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	NDC7002N	DISCRETE	3000	FSC	54000		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	NDC7002N	FAIRCHIL	09+	SOT23-6	5500	原裝無鉛,優(yōu)勢(shì)熱賣	詢價(jià)

更多NDC7002供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 9:01:00

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