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NDB6030PL	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 溝道邏輯電平增強型場效應晶體管，-30V，-30A，42mΩ 這些P溝道邏輯電平增強模式功率場效應晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術生產。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。這些器件特別適合需要快速開關、低線路內功率損耗以及抗瞬變能力的DC/DC轉換器和高效率開關電路等低電壓應用。 -30 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.042 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS= -10 V。\n 在高溫下額定的臨界DC電氣參數(shù)。\n 耐用的內部源極-漏極二極管使得無需使用外部齊納二極管瞬態(tài)抑制器。\n 高密度單元設計，可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n 175°C最大結溫額定值。;	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
NDB6030L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

Compliance：
Pb-free
Status：
?Active??
Description：
?P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
16
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-30
PD Max (W)：
75
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
42
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
26
Ciss Typ (pF)：
1570
Package Type：
D2PAK-3 / TO-263-2

更多NDB603供應商更新時間2026-1-21 10:20:00