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MT5C6401C-20L/XT	文件：132.59 Kbytes Page：10 Pages	64K x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY GENERAL DESCRIPTION The Austin Semiconductor SRAM family employs high-speed, low-power CMOS designs using a four-transistor memory cell. Austin Semiconductor SRAMs are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES ? Speeds: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70 文件：132.59 Kbytes 頁數：10 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C6401C-20LSLASHIT	文件：132.59 Kbytes Page：10 Pages	64K x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY GENERAL DESCRIPTION The Austin Semiconductor SRAM family employs high-speed, low-power CMOS designs using a four-transistor memory cell. Austin Semiconductor SRAMs are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES ? Speeds: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70 文件：132.59 Kbytes 頁數：10 Pages	AUSTIN	AUSTIN
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MT5C6401C-20L/IT	文件：132.59 Kbytes Page：10 Pages	64K x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY GENERAL DESCRIPTION The Austin Semiconductor SRAM family employs high-speed, low-power CMOS designs using a four-transistor memory cell. Austin Semiconductor SRAMs are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES ? Speeds: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70 文件：132.59 Kbytes 頁數：10 Pages	AUSTIN	AUSTIN

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