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MDI6N65B	文件：935.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm) 文件：935.49 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDI6N65BTH	文件：364.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.45Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：364.72 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MDI6N65BTH	文件：935.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm) 文件：935.49 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDI6N65BTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格納	MagnaChip

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更多MDI6N65B供應(yīng)商更新時間2026-1-21 16:50:00