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MDI6N65BTH	文件：364.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.45Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：364.72 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MDI6N65BTH	文件：935.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm) 文件：935.49 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDI6N65BTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格納	MagnaChip
MPCF6N65A	文件：357.32 Kbytes Page：5 Pages	ZeroReverse Recovery Current Features ZeroReverse Recovery Current ? Zero Forward Recovery Voltage ? Temperature - independent Switching Behavior ? PositiveTemperatureCoefficienton VF ? High-speed switching possible ? High surgecurrentcapability Applications ? SwitchModePowerSupply(SMPS) ? MotorDrives ? Power 文件：357.32 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FS	FS
MSF6N65	文件：457.95 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：457.95 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BWTECH	BWTECH
MTN6N65BFP	文件：526.89 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：526.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

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